近年來，我國電力電子器件的發(fā)展十分迅速，已由早期的小功率、半控、低頻器件發(fā)展到現(xiàn)在的超大功率、全控、高頻器件。目前國內(nèi)生產(chǎn)的電力電子器件仍以晶閘管為主，中低檔的產(chǎn)品業(yè)已成熟，并有相當(dāng)?shù)呐砍隹凇?

　　由于電力電子技術(shù)是應(yīng)用電力電子器件來實(shí)現(xiàn)對電能的多種變換和控制，采用這項(xiàng)技術(shù)制造的電力電子裝置實(shí)現(xiàn)了用弱電控制強(qiáng)電的功能，具有節(jié)能、降耗、省材，提高用電質(zhì)量的優(yōu)點(diǎn)。因此，電力電子技術(shù)被認(rèn)為是新興產(chǎn)業(yè)和改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，也是新一代的高新技術(shù)。同國外相比，目前我國電力電子器件的品種和質(zhì)量存在很大的差距，新一代的電力電子器件尚缺少生產(chǎn)能力。為適應(yīng)我國國民經(jīng)濟(jì)高速發(fā)展的需要，必須加大力度支持新型電力電子器件的開發(fā)和生產(chǎn)，并盡快推向市場。

　　今后一個時期，電力電子行業(yè)技術(shù)工作的重點(diǎn)是，下大力進(jìn)行市場前景看好、能代表當(dāng)今技術(shù)水平的四大類電力電子器件的研究開發(fā)，突破關(guān)鍵技術(shù)，加快技術(shù)創(chuàng)新步伐。1.加速開發(fā)高檔大功率晶閘管、快速晶閘管、雙向晶閘管、高頻晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管等高新技術(shù)產(chǎn)品。突破高壓器件設(shè)計(jì)、高壓擴(kuò)散技術(shù)、表面造型保護(hù)技術(shù)和全壓接等關(guān)鍵技術(shù)。2.加速開發(fā)IGCT產(chǎn)品。下大力急需解決GCT的設(shè)計(jì)、均勻擴(kuò)散技術(shù)、透明發(fā)射極制造技術(shù)、精密光刻挖槽技術(shù)、表面造型及保護(hù)技術(shù)、封裝技術(shù)和硬門極觸發(fā)設(shè)計(jì)及制造技術(shù)。3.加速開發(fā)技術(shù)難度大、工藝裝備復(fù)雜的IGBT產(chǎn)品。將大規(guī)模集成電路制造技術(shù)和大功率電力電子技術(shù)緊密結(jié)合在一起。當(dāng)前要解決的是高壓器件的設(shè)計(jì)技術(shù)、高壓場環(huán)技術(shù)和IGBT的芯片封裝與測試技術(shù)。4.加速開發(fā)大功率快速軟恢復(fù)二極管。盡快解決具有自建電場的雜質(zhì)濃度分布擴(kuò)散技術(shù)、電場截止基區(qū)厚度及雜質(zhì)分布控制技術(shù)等難題。