中芯國際與Saifun半導體日前共同宣布，中芯國際將采用Saifun的NROM技術研發生產閃存存儲卡。


Saifun的NROM技術在非易失內存技術領域是一個突破。NROM技術將存儲能力提高到每個基本存儲單元四字節，是一般基本存儲單元的兩倍多。不僅如此，NROM技術簡化了存儲單元的器件模型，減少了生產步驟，降低了生產成本。

“閃存存儲卡市場對于我們未來的發展而言是一個重要的驅動力，”中芯國際首席營運官Marco Mora表示，“在雙方簽署的第二份協議中，我們將Saifun先進的技術和中芯國際的高容量存儲卡產品結合在一起，根據我們的核心優勢積極關注產品的主要分銷渠道。”

Saifun半導體公司總裁Kobi Rozengarten先生表示，“自從我們今年六月簽定第一份技術轉讓協議以來，雙方緊密合作，致力于為數字產品市場研發領先于市場的，基于NROM雙字節和四字節技術的閃存存儲器產品。隨著市場對高容量卡產品的需求不斷擴大，中芯國際先進的生產經驗和Saifun創造性的NROM技術的結合，必將給雙方公司帶來更多的成長機會。”